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三极管电流放作用

直流电压源Vcc应于Vbb使电路满足放外部条件：发射结向偏置集电极反向偏置改变调电阻Rb基极电流IB集电极电流Ic 发射极电流IE都发变化由测量结结论：

（1） IE ＝ IB ＋ IC ( 符合克希荷夫电流定理）

（2） IC ≈ IB ×? （ ?称电流放系数表征三极管电流放能力）

（3）△ IC ≈ △ IB ×?

由见三极管种具电流放作用模拟器件

3 三极管放原理

用NPN三极管例说明其内部载流运规律电流放

原理

1、发射区向基区扩散电：由于发射结处于向偏置发射区数载流（自由电）断扩散基区并断电源补充进电形发射极电流IE

2、电基区扩散复合：由于基区薄其数载流（空穴）浓度低所发射极扩散电少部基区空穴复合形比较基极电流IB剩绝部电都能扩散集电结边缘

3、集电区收集发射区扩散电：由于集电结反向偏置发射区扩散基区并达集电区边缘电拉入集电区形较集电极电流IC

4 三极管输入输特性

三极管输入特性指集-射极电压UCE数基极电流IB与基-射极电压UBE间关系曲线

硅管言UCE超1V集电结已经达足够反偏发射区扩散基区电绝部拉入集电区再增UCE 要UBE保持变（发射区发射基区电数定） IB基本变说UCE超1V输入特性曲线基本重合

由图见二极管伏安特性三极管输入特性段死区UBE于死区电压三极管才现基极电流IB通硅管死区电压约0.5V锗管约0.1V工作情况NPN型硅管发射结电压UBE0.6～0.7VPNP型锗管发射结电压UBE-0.2～ -0.3V

三极管输特性指基极电流IB定集电极电流IC与集-射极电压UCE间关系曲线同IB同曲线所三极管输特性组曲线通输特性曲线三工作区：

1、放区：输特性曲线近于水平部放区放区, IC ＝ IB ×?,由于同IB电流放系数近似相等所放区称线性区三级管要工作放区发射结必须处于向偏置集电结则应处于反向偏置硅管言应使UBE>0UBC<0

2、截止区： IB ＝ 0曲线区域称截止区实际NPN硅管言UBE＜0.5V即已始截止使三极管靠截止使UBE≤0V发射结集电结均处于反向偏置

3、饱区：输特性曲线陡直部饱区IB变化 IC影响较放区?再适用于饱区 饱区 UCE＜UBE发射结集电结均处于向偏置